本文目录一览：
- 1、IGBT芯片是什么?听说华微电子生产的IGBT芯片很不错?
- 2、frd芯片与igbt芯片区别
- 3、soc芯片和igbt芯片有什么区别
- 4、【P001】IGBT技术
- 5、国产高铁IGBT芯片技术崛起,打破国外多年垄断
IGBT芯片是什么?听说华微电子生产的IGBT芯片很不错?
1、IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
2、igbt是：绝缘栅双极型晶体管。igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
3、不过，IGBT芯片相较于手机芯片的制造工艺及设备来说，要求没有这么高。 另外不同功率等级的IGBT芯片，也有不同的尺寸大小。一般来说，功率等级越高，芯片的尺寸就会越大。 目前IGBT 产品最具竞争力的生产线是8英寸和12 英寸。
4、从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。
5、华为新能源汽车领域。截至20年3月，IGBT芯片在新能源汽车领域推广，并已经销售。2019年2月27日，华微电子在互动平台称：公司为华为的二级供应商。
6、当然不是。IGBT只是一种复合型功率器件，应该不属于芯片。芯片应该是大规模集成电路，甚至应该是具备信息处理能力的集成电路。
frd芯片与igbt芯片区别
1、性能不同，用途不同等。frd芯片与igbt芯片区别：性能不同，FRD芯片是一种用于网络安全领域的芯片，IGBT芯片则是一种功率半导体器件。
2、结构差异区别：FRD芯片是指FreeRecoveryDiode的缩写，是一种正向恢复二极管。IGBT芯片指的是InsulatedGateBipolarTransistor，是一种三极管结构的功率开关器件。
3、OH是防止IGBT、FRD(快恢复二极管)过热的保护功能。IPM内部的绝缘基板上没有温度检测元件，检测绝缘基板温度Tcoh(IGBT、FRD芯片异常发热后的保护动作时间比较慢)。
4、U-IGBT U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。
soc芯片和igbt芯片有什么区别
1、成本更低：SOC芯片的生产成本比传统的多芯片设计更低，因为它可以减少芯片数量和组装过程中的人工成本。性能更好：SOC芯片将多个系统组件集成在同一个芯片上，可以减少组件间的通信延迟，从而提高系统性能。
2、SoC芯片是一种集成电路的芯片，可以有效地降低电子和信息系统产品的开发成本，缩短开发周期，提高产品的竞争力，是未来工业界将采用的最主要的产品开发方式。
3、soc芯片是系统级芯片。SoC芯片（System on Chip）又称系统级芯片，片上系统，简单的理解就是把几种不同类型的芯片集成到一块芯片上，比如把CPU、GPU、存储器、蓝牙芯片等集成到一个芯片上。
4、SOC是系统级芯片，ASIC是特殊应用集成电路。SoC也有称片上系统，ASIC即专用集成电路，意指它是一个产品，是一个有专用目标的集成电路，而ASIC是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。
5、结构差异区别：FRD芯片是指FreeRecoveryDiode的缩写，是一种正向恢复二极管。IGBT芯片指的是InsulatedGateBipolarTransistor，是一种三极管结构的功率开关器件。
6、一般说来， SoC称为系统级芯片，也又称片上系统。意指它是一个产品，是一个有专用目标的集成电路，其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。
【P001】IGBT技术
1、这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米（当前模块的标准尺寸）模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
2、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，结合了双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特性。IGBT的作用是在高电压和高电流应用中实现电能的控制和转换。
3、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
国产高铁IGBT芯片技术崛起,打破国外多年垄断
IGBT的技术，过去长期被极少数经济发达国家所垄断。 比如我国机车车辆使用的IGBT模块都要从德国、日本进口，特别是在高等级的IGBT器件上。 2008年我国的第一条高铁京津城际铁路开通，随后又开通了更多的高铁线路，对IGBT的需求成倍增加。
IGBT芯片。根据查询比亚迪股份有限公司官网信息，比亚迪股份有限公司成立于1995年，于2007年，比亚迪提出首个专利IGBT申请，2009年成功推出第一代IGBT芯片，打破国外技术垄断。
现在比亚迪的IGBT在国际上还算不上很先进，但正是由于当初比亚迪面对国际垄断选择迎难而上，才让中国人开上了真正意义上的国产新能源车。并且把新能源大巴卖到了全世界。我觉得这就是比亚迪的黑科技之一。
在王传福的带领下，怀着最初对 汽车 半导体芯片的追求。终于，在2009年比亚迪推出国内首款自主研发的IGBT芯片，打破了国外技术封锁。
要知道，比亚迪自己就是这样，一步步地打破国外企业的垄断成长起来的。近期比亚迪半导体公司也积极引入小米、联想等三十多家企业的投资，并谋求独立上市。
然而，自从1988年第一代IGBT芯片诞生以来，其制造的核心技术就一直牢牢掌握在英飞凌、三菱等海外巨头手里。即使是国家级别的高铁列车组，也不得不斥巨资对外采购。